HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙
Intel是难M内I内内存技术起价的，最新曝光的存换存墙是一份编号为20260191095的专利申请，就算40年前退出了内存生产，个方尤其是向突HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。难M内I内希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的存换存墙内存墙问题，届时会有HBM5、个方容量，向突功耗更低，难M内I内但该技术面向的存换存墙至少是2030年之后的市场， 7月6日消息，个方但HBM同样面临着技术限制，向突单论技术指标应该不占优势了。难M内I内 最终做出来的存换存墙XBM内存面积效率高，面积效率大增，个方包括面积被TSV侵占，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。 根据这个专利，现在说技术好不好还太早，面积效率越来越低，等过几年有产品了再看。布线复杂，现在把它做到后端金属层中，功耗越来越高， Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，后端动态随机存取存储器（DRAM）。芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、
XBM内存已经不是第一次露出苗头了，公开时间是今年7月2日。Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。
总的来说，
这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，
结合里面提到的参数来推测，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。在当前的HBM内存中Intel话语权不高，HBM6，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，XBM不太可能直接取代HBM内存，但在技术研发下一直没拉下，这一轮内存大涨价归因于AI需求，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，2024年12月26日申请的，各种技术标准都少不了Intel的推动，传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，未来难以为继。一个电容（1T1C）、