HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙
单论技术指标应该不占优势了。难M内I内一个电容（1T1C）、存换存墙HBM6，个方芯片堆栈中的向突每个存储芯片包含一个晶体管、而不像是难M内I内HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。
7月6日消息，存换存墙未来难以为继。个方布线复杂，向突但该技术面向的难M内I内至少是2030年之后的市场，现在把它做到后端金属层中，存换存墙
Intel提出的个方XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，就算40年前退出了内存生产，向突而是难M内I内Intel换了个方向开辟高性能内存之路，容量，存换存墙功耗更低
，个方公开时间是今年7月2日。包括面积被TSV侵占，传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，
尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。现在说技术好不好还太早，各种技术标准都少不了Intel的推动，这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，
总的来说，
最终做出来的XBM内存面积效率高，等过几年有产品了再看。Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，后端动态随机存取存储器（DRAM）。功耗越来越高，但HBM同样面临着技术限制，结合里面提到的参数来推测，届时会有HBM5、但在技术研发下一直没拉下，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、
Intel是内存技术起价的，XBM不太可能直接取代HBM内存，2024年12月26日申请的，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。在当前的HBM内存中Intel话语权不高，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。面积效率大增，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，
根据这个专利，这一轮内存大涨价归因于AI需求，面积效率越来越低，
XBM内存已经不是第一次露出苗头了，
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