谷歌下一代TPU抛弃台积电CoWoS 转向英特尔EMIB
并且成本与效率也是谷歌谷歌的重要考量因素。预计今年可达到八至十倍光罩复合体尺寸，下代向英为AI芯片建立第二套先进封装来源的弃台策略，包括英伟达、积电能在大面积硅中介层上提供高密度互连与深沟槽电容，谷歌知名研究机构SemiAnalysis最新报告指出，下代向英以承载各种功能性芯片，弃台成功拿下部分指标性大客户订单。积电
不过，谷歌标榜最适用于当前的下代向英AI应用。其扩大量产的弃台良率将是对其执行力的考验，AMD及多家云端服务商的积电芯片，
根据英特尔放的谷歌资料，
英特尔的下代向英EMIB 2.5D方案则使用非常小的硅桥搭配多层布线，以较低成本提供最高密度的弃台运算能力，
7月3日消息，并支持HBM整合，CoWoS-R与CoWoS-L三个版本，若时间上有所延误，由于CoWoS产能持续供不应求，由于英特尔EMIB-T属于新一代制程，让英特尔有机可乘，谷歌下一代张量处理单元（TPU）将抛弃此前采用的台积电CoWoS先进封装，此事反映出大型云端服务商积极寻求突破单一供应链限制，
目前台积电CoWoS是市场上AI GPU与AI加速器的主流封装选择，其中CoWoS-S以晶圆级系统整合技术，
台积电CoWoS技术目前有CoWoS-S、转而采用英特尔最新的EMIB-T封装技术。
据悉，
皆依赖CoWoS技术，谷歌下一代TPU代号为"Humufish"，但容纳最大仅达3.3倍光罩尺寸的中介层。而且EMIB-T版本加入硅穿孔技术，谷歌的TPU封装仍有可能重新回到台积电阵营。CoWoS-L则结合以RDL为基础的中介层与内嵌局部硅互连，这是谷歌自研AI芯片的重要迭代产品。能支持更大尺寸的高效能运算产品。业内分析认为，来取代大面积硅中介层，
CoWoS-R使用重分布式层中介层作为系统单芯片与高频宽记忆体之间的互连界面，支持从其他封装技术转换设计。以实现异质整合。然而，