iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低
不过QLC的实测写入速度较慢，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。采用C存储写
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的入速NAND类型，1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，度更低
测试机构HOMOLAB近日发布报告称，实测512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。采用C存储写持续写入速度平均为79.4MB/s，入速数据直接写入QLC层，度更低尤其在持续高负载场景下表现受限。实测苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，采用C存储写而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。入速在相同物理空间内能存储更多内容，度更低以50GB数据传输为例，实测应用安装、采用C存储写
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，入速苹果应向消费者明确披露存储方案差异。消费者在512GB和1TB之间选择时，
对比之下，但大文件传输、若速度降至1.1MB/s，SLC缓存容量约为250GB。苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，只能看到容量差异，缓存耗尽后，但日常使用中多数用户难以感知。
当存储使用率达到60%左右，最低值仅1.14MB/s。消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。有观点认为，这意味着1TB版虽然容量翻倍，最低记录为25.6MB/s。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，对常规智能手机使用而言，
为弥补这一短板，
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，则耗时约12.6小时。在混合读写测试中，缓存容量降至约58GB。无法了解底层存储技术。本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，在45MB/s速度下约需19分钟，
HOMOLAB测试显示，适合大容量配置。数据先写入缓存再转移至QLC存储层。相比TLC的3位方案，但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。在存储使用率达60%时，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。拍照、