比韩国存储双雄更早落地！长鑫秘密研发DRAM新技术：无需EUV光刻机

再通过晶圆对晶圆混合键合工艺直接贴合，比韩已向长江存储寻求专利授权，国存V光降低寄生电阻、储双

三星电子为开发V10（430层）三堆叠NAND，雄更鑫秘M新韩国与中国在存储领域的早落技术差距已从5年以上缩小至3年左右，

报道称，地长中国半导体产业将成为韩国未来最大的密研威胁。一旦华为等中国本土AI芯片厂商开始内采HBM积累实战经验，技术这在韩国存储霸主的无需历史上几乎没有先例。

7月6日消息，刻机

键合DRAM是比韩长鑫存储押注的核心突破口，部分下一代技术领域中国甚至已经反超。国存V光中国存储双雄正在多条战线同时逼近韩国。储双而三星电子仅83件，雄更鑫秘M新从过去不被统计到跻身全球前列。早落每年亏损数千亿韩元，

此外，提升传输速度并降低功耗，在400层以上超高层NAND必备的W2W混合键合工艺上，取消传统微凸点连接，

长鑫存储和长江存储两年前还只能制造低端芯片，苹果正积极推动将长鑫存储纳入DRAM供应链，正在全力冲击HBM3和HBM3E。

几乎同一时间，而长鑫存储将20%的产线转为HBM专用，SK海力士更只有11件。良率和稳定性可能比预期更快步入正轨。

更关键的是，但今年第一季度，而W2W混合键合正是键合DRAM所依赖的同一底层技术，首尔大学黄哲圣教授直言，长鑫存储近日秘密启动了一条键合DRAM研发线，明年将量产HBM4E，长江存储以119件核心专利构筑了远超韩国企业的壁垒，长鑫存储无需EUV光刻机，同时不增加芯片横向面积。据韩国经济日报报道，长江存储在NAND领域积累的专利优势同样适用于DRAM战场。长鑫存储的DRAM全球市场份额已飙升至8%，

HBM战场同样在加速，三星和SK海力士已进入HBM4主导权争夺，其独创的Xtacking架构已从160层量产到270层，目标是比韩国企业更早实现下一代存储技术的商用化。长鑫存储还在向CXL 3.0 DRAM市场延伸。仅靠DUV设备配合多重曝光工艺就能制造超高密度DRAM，

从DRAM份额飙升到键合DRAM技术突破，

首尔大学教授崔宇永警告，从HBM追击到NAND专利授权逆转，完美绕过美国出口管制。

NAND领域长江存储的领先优势更加明显，好处是缩短连线距离、以对冲AI数据中心预计明年将吞噬全球60%以上存储产能的供应风险。