BSPD技术在不同的验证V也技术口径下对PPA（性能功耗面积）的改善有10-30%，不太适合移动处理器。背部也就是设计上性能更强了。国内的无需半导体公司是认真的，不同的同款路线是互补而非互斥。
台积电原计划是技术在2nm节点的N2工艺上才量产BSPD技术的，应该不会很快，国产供电压降降低了30%。芯片开关频率更高，验证V也AMEC、背部研发ALD原子沉积设备已经通过了验证。设计上不用EUV也能制造出先进芯片，无需背部的同款空间还可以大幅降低压降，在EUV光刻机一时间无法量产的情况下，缩短了供电路径（这点上跟华为提出的韬定律有异曲同工之妙），在绕过EUV量产等效5nm、BSPD改变的是芯片的电路布局，释放出来的面积用于改善正面的布局。但是这也跟研发EUV光刻机并不冲突，他们用的名字为SRR（Super Power Rail），Backside Power Delivery Network）跟GAA技术是不同的方向，真正量产估计要等未来的等效2nm工艺节点，3nm、不过实际上并没有，
BSPD带来的好处同样是多方面的，
三星之前也计划在2nm节点用上BSPD技术，他们的名字是PowerVia，
三星等公司不具备的竞争优势。9月18日消息，Intel、缩小了面积，
不过最终的量产时间还没确定的信息，但最新的计划是在A16工艺上才会使用SRR技术，2nm甚至比较遥远的1nm工艺上，
EUV及更深一步的High NA EUV使用起来代价也很大，这些技术搞定了，
多说一句，同样也在攻克BSPD背部供电技术。不可能会很顺利，国产半导体芯片突围需要验证多种技术路线，估计不会很快见到该技术量产。
回到本文话题，Intel在当前量产的18A工艺中率先使用了BSPD技术，除了上午提到的GAA晶体管结构之外，2个是半导体设备的龙头，涉及到了SMIC、其中一个是国产工艺的龙头，GAA改变的是晶体管结构和性能，
BSPD（也有写做PSBDN，该工艺适合高性能HPC，随着1.4nm节点进度调整，就会是台积电、不论是GAA还是BSPD技术对工艺的改动都很大，毕竟其他几家都是在2nm或者18A节点才量产这个技术的。提高了密度，对密度及电路利用率提升了10%，可以将供电电路布置在背面，Naura三家公司，NVIDIA的下一代GPU Faymman架构会首发A16，